Phonon- and surface-roughness-limited mobility of gate-all-around 3C-SiC and Si nanowire FETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596134 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596134 , version 1

Citer

K. Rogdakis, S. Poli, Edwige Bano, K. Zekentes, M. G. Pala. Phonon- and surface-roughness-limited mobility of gate-all-around 3C-SiC and Si nanowire FETs. Nanotechnology, 2009, 20 (29), pp.295202. ⟨hal-00596134⟩
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