Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596134
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:47:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:20
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596134 , version 1
Citer
K. Rogdakis, S. Poli, Edwige Bano, K. Zekentes, M. G. Pala. Phonon- and surface-roughness-limited mobility of gate-all-around 3C-SiC and Si nanowire FETs. Nanotechnology, 2009, 20 (29), pp.295202. ⟨hal-00596134⟩
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