GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
F Medjdoub
,
D. Marcon
,
J. Das
,
J. Derluyn
,
K. Cheng
,
S. Degroote
,
N. Vellas
,
Christophe Gaquière
(1)
,
Marie Germain
,
S. Decoutere
F Medjdoub
- Fonction : Auteur
- PersonId : 740399
- IdHAL : faridmedjdoub
- ORCID : 0000-0002-4753-4718
- IdRef : 084651512
D. Marcon
- Fonction : Auteur
J. Das
- Fonction : Auteur
J. Derluyn
- Fonction : Auteur
K. Cheng
- Fonction : Auteur
S. Degroote
- Fonction : Auteur
N. Vellas
- Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 746853
- IdHAL : christophe-gaquiere
- ORCID : 0000-0003-3082-2489
- IdRef : 059765615
Marie Germain
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170960
- IdHAL : marie-germain
- ORCID : 0000-0001-7382-1609
- IdRef : 176579958
S. Decoutere
- Fonction : Auteur