Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549996
Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:28:39
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00549996 , version 1
Citer
F Medjdoub, D. Marcon, J. Das, J. Derluyn, K. Cheng, et al.. GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C. 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.37-40. ⟨hal-00549996⟩
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