Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
sophie gaffé-clément : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00524918
Soumis le : samedi 9 octobre 2010-19:17:45
Dernière modification le : mercredi 15 mai 2024-13:42:16
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00524918 , version 1
Citer
S. Puget, G. Bossu, C. Fenouillet-Beranger, P. Perreau, P. Masson, et al.. FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications. International Memory Workshop IMW), May 2009, Monterey, United States. ⟨hal-00524918⟩
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