FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications

Domaines

Electromagnétisme

sophie gaffé-clément  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00524918

Soumis le : samedi 9 octobre 2010-19:17:45

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-14:48:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00524918 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524918 , version 1

Citer

S. Puget, G. Bossu, C. Fenouillet-Beranger, P. Perreau, P. Masson, et al.. FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications. International Memory Workshop IMW), May 2009, Monterey, United States. ⟨hal-00524918⟩

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