Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
sophie gaffé-clément : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00524913
Soumis le : samedi 9 octobre 2010-18:30:49
Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-10:42:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00524913 , version 1
Citer
S. Puget, G. Bossu, F. Berthollet, P. Mazoyer, Jean-Michel Portal, et al.. 1TBulk eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Current for High Speed and Low Power applications. International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep 2008, Ibaraki, Japan. ⟨hal-00524913⟩
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