1TBulk eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Current for High Speed and Low Power applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

1TBulk eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Current for High Speed and Low Power applications

S. Puget
  • Fonction : Auteur
G. Bossu
  • Fonction : Auteur
F. Berthollet
  • Fonction : Auteur
P. Mazoyer
  • Fonction : Auteur
Jean-Michel Portal
Centre de Recherches Pétrographiques et Géochimiques
P. Masson
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
R. Bouchakour
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electromagnétisme

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https://hal.science/hal-00524913

Soumis le : samedi 9 octobre 2010-18:30:49

Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-10:42:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00524913 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524913 , version 1

Citer

S. Puget, G. Bossu, F. Berthollet, P. Mazoyer, Jean-Michel Portal, et al.. 1TBulk eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Current for High Speed and Low Power applications. International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep 2008, Ibaraki, Japan. ⟨hal-00524913⟩

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