Deep GaN etching by inductively coupled plasma and induced surface defects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2010
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Dates et versions

hal-00519022 , version 1 (17-09-2010)

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Citer

Julien Ladroue, Aline Meritan, Mohamed Boufnichel, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep GaN etching by inductively coupled plasma and induced surface defects. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2010, 28 (5), pp.1226. ⟨10.1116/1.3478674⟩. ⟨hal-00519022⟩
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