Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science & Technology A
Année : 2010
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00519022
Soumis le : vendredi 17 septembre 2010-18:41:14
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:26:03
Citer
Julien Ladroue, Aline Meritan, Mohamed Boufnichel, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep GaN etching by inductively coupled plasma and induced surface defects. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2010, 28 (5), pp.1226. ⟨10.1116/1.3478674⟩. ⟨hal-00519022⟩
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