Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00491786 , version 1 (14-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00491786 , version 1

Citer

Christophe Labbé, Abdulhadi Nakkar, François Doré, Hervé Folliot, Antoine Létoublon, et al.. Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density. International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications, Jul 2008, rennes, France. pp.1. ⟨hal-00491786⟩
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