Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density

Christophe Labbé
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Abdulhadi Nakkar
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Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
François Doré
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 872009
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Hervé Folliot
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Antoine Létoublon
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Cyril Paranthoen
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
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Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Slimane Loualiche
  • Fonction : Auteur
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Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
David Lagarde
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Nanophysique Magnétisme et Optoélectronique
Andrea Balocchi
Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse
Xavier Marie
Laboratoire de Nanophysique Magnétisme et Optoélectronique

Domaines

Optique / photonique

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https://hal.science/hal-00491786

Soumis le : lundi 14 juin 2010-13:58:25

Dernière modification le : lundi 28 octobre 2024-15:08:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00491786 , version 1 (14-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00491786 , version 1

Citer

Christophe Labbé, Abdulhadi Nakkar, François Doré, Hervé Folliot, Antoine Létoublon, et al.. Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density. International Workshop on Semiconductor Quantum Dot Devices and Applications, Jul 2008, rennes, France. pp.1. ⟨hal-00491786⟩

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