Extraction des paramètres électriques sur les transistors CMOS de technologies avancées
Résumé
L'extraction des paramètres électriques est un point clef pour la compréhension des phénomènes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors. La réduction des dimensions impose aujourd'hui d'adapter les méthodes d'extraction préexistantes aux nouvelles générations de dispositifs. Ainsi, nous montrons comment – à partir de courbe courant-tension ID(VG) et capacité-tension Cgc(VG) – il est possible d'extraire avec précision la mobilité à bas champ (μ0) et les résistances séries (RSD) sur des transistors ultra-courts.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Format : Autre