GaN Etching by Inductively Coupled Plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00444471 , version 1 (06-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00444471 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Aline Meritan, Mohamed Boufnichel, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. GaN Etching by Inductively Coupled Plasma. 17th International Colloquium on Plasma Processes, Jun 2009, Marseille, France. ⟨hal-00444471⟩
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