SiOxFy passivation layer characterization in the silicon cryoetching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00442663 , version 1 (22-12-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00442663 , version 1

Citer

Xavier Mellhaoui, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Lawrence J. Overzet, et al.. SiOxFy passivation layer characterization in the silicon cryoetching. Eighth International Conference on Advanced Surface Engineering (8th ICASE), Apr 2006, Japan. ⟨hal-00442663⟩
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