New Characterization Methodology of Borderless Silicon Nitride Charge Kinetics Using C-V Hysteresis Loops - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of The Electrochemical Society Année : 2008

New Characterization Methodology of Borderless Silicon Nitride Charge Kinetics Using C-V Hysteresis Loops

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391680 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391680 , version 1

Citer

G. Beylier, S. Bruyère, P. Mora, G. Ghibaudo. New Characterization Methodology of Borderless Silicon Nitride Charge Kinetics Using C-V Hysteresis Loops. Journal of The Electrochemical Society, 2008, 155, H273-H279. ⟨hal-00391680⟩
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