Article Dans Une Revue
Journal of The Electrochemical Society
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391680
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-14:37:58
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:00:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391680 , version 1
Citer
G. Beylier, S. Bruyère, P. Mora, G. Ghibaudo. New Characterization Methodology of Borderless Silicon Nitride Charge Kinetics Using C-V Hysteresis Loops. Journal of The Electrochemical Society, 2008, 155, H273-H279. ⟨hal-00391680⟩
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