XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2008

XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism

L. Cadix
  • Fonction : Auteur
N. Jourdan
  • Fonction : Auteur
J. Torres
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00345527 , version 1 (09-12-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00345527 , version 1

Citer

F. Volpi, L. Cadix, G. Berthomé, E. Blanquet, N. Jourdan, et al.. XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism. Microelectronic Engineering, 2008, 85 (10), pp.2068-2070. ⟨hal-00345527⟩

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