Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2008
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00345527
Soumis le : mardi 9 décembre 2008-11:45:11
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00345527 , version 1
Citer
F. Volpi, L. Cadix, G. Berthomé, E. Blanquet, N. Jourdan, et al.. XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism. Microelectronic Engineering, 2008, 85 (10), pp.2068-2070. ⟨hal-00345527⟩
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