Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2007
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00196393
Soumis le : mercredi 12 décembre 2007-16:25:56
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00196393 , version 1
Citer
L. Pinzelli, M. Gros-Jean, Y. Brechet, F. Volpi, A. Bajolet, et al.. High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta2O5 deposited with metal-organic precursor TBTDET.. Microelectronics Reliability, 2007, 47 (4-5), pp.700-703. ⟨hal-00196393⟩
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