High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta2O5 deposited with metal-organic precursor TBTDET. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2007

High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta2O5 deposited with metal-organic precursor TBTDET.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00196393 , version 1 (12-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00196393 , version 1

Citer

L. Pinzelli, M. Gros-Jean, Y. Brechet, F. Volpi, A. Bajolet, et al.. High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta2O5 deposited with metal-organic precursor TBTDET.. Microelectronics Reliability, 2007, 47 (4-5), pp.700-703. ⟨hal-00196393⟩

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