Communication Dans Un Congrès
Année : 2005
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https://hal.science/hal-00183504
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:51
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183504 , version 1
Citer
Alberto Sozza, Christian Dua, N. Sarazin, E. Morvan, Sylvain Delage, et al.. Traps characterization inSi-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques. Proceeding of International Workshop on Heterostructures HETECH, 2005, Slovakia. pp.1. ⟨hal-00183504⟩
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