Communication Dans Un Congrès
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00146102
Soumis le : lundi 14 mai 2007-10:53:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146102 , version 1
Citer
Eric Lheurette, M. Le Roy, O. Vanbésien, D. Lippens. Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures. Proceedings of the 14th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices, 2003, Barcelona, Spain. ⟨hal-00146102⟩
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