Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures

M. Le Roy
O. Vanbésien
D. Lippens
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146102 , version 1 (14-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146102 , version 1

Citer

Eric Lheurette, M. Le Roy, O. Vanbésien, D. Lippens. Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures. Proceedings of the 14th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices, 2003, Barcelona, Spain. ⟨hal-00146102⟩
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