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Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2006

A new degradation mode for advanced heterojunction bipolar transistors under reverse bias stress

M. Ruat
  • Fonction : Auteur
A. Pakfar
  • Fonction : Auteur
N. Revil
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145500 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145500 , version 1

Citer

M. Ruat, A. Pakfar, N. Revil, G. Pananakakis, Gérard Ghibaudo. A new degradation mode for advanced heterojunction bipolar transistors under reverse bias stress. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2006, 6, pp.154. ⟨hal-00145500⟩

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