Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00145500
Soumis le : jeudi 10 mai 2007-14:57:03
Dernière modification le : mercredi 14 janvier 2026-15:29:06
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145500 , version 1
Citer
M. Ruat, A. Pakfar, N. Revil, G. Pananakakis, Gérard Ghibaudo. A new degradation mode for advanced heterojunction bipolar transistors under reverse bias stress. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2006, 6, pp.154. ⟨hal-00145500⟩
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