Plateforme de caractérisation pour composants grand-gap et modèle EBEM-CE associé - Pôle CSEE - SATIE Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Plateforme de caractérisation pour composants grand-gap et modèle EBEM-CE associé

Résumé

Les composants à grand gap sont aujourd'hui présentés comme la nouvelle génération de composants de puissance dont les performances annoncées ou du moins espérées sont plus que prometteuses. Leur vitesse de commutation élevée associée à leur tenue en tension importante et une augmentation possible des fréquences de découpage représentent une combinaison redoutable sur le plan de la compatibilité électromagnétique imposant ainsi une vigilance toute particulière. A l'instar des travaux menés sur l'estimation des émissions conduites des structures utilisant des composants en Silicium, ces technologies (ex : GaN, SiC) demandent un effort supplémentaire quant à la modélisation des sources de perturbation autrement dit des phases de commutation. Cet article présente une plateforme de caractérisation dédiée aux composants en commutation ainsi qu'un modèle haute fréquence permettant au travers des émissions conduites générées la discrimination des effets des différentes technologies de semi-conducteurs.
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Dates et versions

hal-01065200 , version 1 (18-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01065200 , version 1

Citer

Bertrand Revol, Richard Lopez-Bancalari, Slim Hrigua, Francois Costa. Plateforme de caractérisation pour composants grand-gap et modèle EBEM-CE associé. Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065200⟩
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