Mobility Extraction in Double-Gate MOSFETs by Magnetoresistance Technique (poster) - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Mobility Extraction in Double-Gate MOSFETs by Magnetoresistance Technique (poster)

W. Chaisantikulwat
  • Fonction : Auteur
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
M. Vinet
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148279 , version 1 (22-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148279 , version 1

Citer

W. Chaisantikulwat, M. Mouis, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu, J. Widiez, et al.. Mobility Extraction in Double-Gate MOSFETs by Magnetoresistance Technique (poster). Journées "Simulation et caractérisation des nanocomposants" du GDR Nanoélectronique, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00148279⟩

Collections

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