Collapse and large signal modelling of GaAs field effect transistors at 77 K - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1994

Collapse and large signal modelling of GaAs field effect transistors at 77 K

Jérôme Verdier
Olivier Llopis
J. Dienot
Robert Plana
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 843541
Ph. Andre
  • Fonction : Auteur
Jacques Graffeuil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 837889

Résumé

A complete electrical characterization of different types of GaAs field effect transistors at liquid nitrogen temperature is performed. The trapping-detrapping mechanisms on deep levels are particularly adressed and a method is proposed to circumvent the collapse phenomenon which otherwise limits the electrical performances. From these measurements a HEMT non-linear model is extracted and is found efficient for the prediction of the large signal power out versus power in characteristic of a cooled HEMT. A further application could be the optimized design of a cooled low phase noise oscillator.

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jpa-00253120 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Jérôme Verdier, Olivier Llopis, J. Dienot, Robert Plana, Ph. Andre, et al.. Collapse and large signal modelling of GaAs field effect transistors at 77 K. Journal de Physique IV Proceedings, 1994, 04 (C6), pp.C6-165-C6-170. ⟨10.1051/jp4:1994626⟩. ⟨jpa-00253120⟩
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