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Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1993

Optical characterization of CdTe/ZnTe semiconductor wires and dots

C. Gourgon
  • Fonction : Auteur
B. Eriksson
  • Fonction : Auteur
L. Dang
  • Fonction : Auteur
H. Mariette
Christophe Vieu

Résumé

Arrays of wires and dots have been fabricated by electron beam lithography and Ar+ ion beam etching from CdTe/ZnTe quantum wells. Low temperature photoluminescence coming out from these structures is still observed for the smallest wires (40 nm) whereas for the dots, the detection limit occurs for lateral dimensions of 100 nm.

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Dates et versions

jpa-00251612 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

C. Gourgon, B. Eriksson, L. Dang, H. Mariette, Christophe Vieu. Optical characterization of CdTe/ZnTe semiconductor wires and dots. Journal de Physique IV Proceedings, 1993, 03 (C5), pp.C5-147-C5-150. ⟨10.1051/jp4:1993526⟩. ⟨jpa-00251612⟩

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