Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1993

Morphology of InGaAs/InP QWs : from excitonic spectroscopy to HR-TEM analyses

J. Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246
  • IdRef : 069193568
S. Juillaguet
R. Schwedler
  • Fonction : Auteur
K. Wolter
  • Fonction : Auteur
F. Baumann
  • Fonction : Auteur
K. Leo
  • Fonction : Auteur
J. Laurenti
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report on the non-squared composition profiles of three series of thin (Lz[MATH]30Å) InGaAs/InP quantum wells grown with interruption sequences at, both, the lower and the upper interfaces. First is a series of LM (lattice matched) samples with nominal thicknesses ranging from 0 to 8 monolayers. Second is a series of samples with a constant thickness of 5 monolayers and gallium compositions ranging from 0.13 to 0.73. Third are two samples with thickness Lz=30Å and gallium compositions x=0.47 (LM) and x=0.73 (gallium rich). Comparing spectrometric data collected at 2 K with high-resolution transmission electron microscope (HR-TEM) pictures, we find that the lower interface morphology (InP/InGaAs) can be easily probed from excitonic absorption and luminescence spectra. Nothing similar is found for the higher interface (InGaAs/InP), even if a considerable amount of interface roughness is resolved from HR-TEM. We show that this upper interface roughness originates from unperfected 2-dimensional growth kinetics of InGaAs.

Domaines

Fichier principal
Vignette du fichier
ajp-jp4199303C518.pdf (1.2 Mo) Télécharger le fichier
Origine Accord explicite pour ce dépôt
Licence
Loading...

Dates et versions

jpa-00251604 , version 1 (04-02-2008)

Licence

Identifiants

Citer

J. Camassel, S. Juillaguet, R. Schwedler, K. Wolter, F. Baumann, et al.. Morphology of InGaAs/InP QWs : from excitonic spectroscopy to HR-TEM analyses. Journal de Physique IV Proceedings, 1993, 03 (C5), pp.C5-99-C5-106. ⟨10.1051/jp4:1993518⟩. ⟨jpa-00251604⟩

Collections

146 Consultations
208 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More