LPCVD of SiC layers in a hot-wall reactor using TMS precursor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1993

LPCVD of SiC layers in a hot-wall reactor using TMS precursor

F. Henry
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P. Marti
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Y. Casaux
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C. Combescure
A. Figueras
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V. Madigou
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R. Rodriguez-Clemente
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Annie Mazel
  • Fonction : Auteur
Jean Sévely
  • Fonction : Auteur
B. Armas
  • Fonction : Auteur

Résumé

Sic polycrystalline layers were grown by LPCVD in a hot wall reactor using tetramethylsilane (TMS) diluted in hydrogen as precursor. The morphology and the structure of the films were analyzed in terms of deposition temperature, total pressure in the reactor and TMS flow rate. The layers have been characterized using various techniques : SEM, X-ray diffraction and TEM (HREM and EELS).

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jpa-00251402 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

F. Henry, P. Marti, Y. Casaux, C. Combescure, A. Figueras, et al.. LPCVD of SiC layers in a hot-wall reactor using TMS precursor. Journal de Physique IV Proceedings, 1993, 03 (C3), pp.C3-329-C3-336. ⟨10.1051/jp4:1993345⟩. ⟨jpa-00251402⟩

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