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Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1991

INFLUENCE OF H2 PARTIAL PRESSURE ON THE MORPHOLOGY AND CRYSTALLIZATION OF SiC LAYERS OBTAINED BY LPCVD USING TETRAMETHYLSILANE

A. Figueras
  • Fonction : Auteur
R. Rodriguez-Clemente
  • Fonction : Auteur
S. Garelik
  • Fonction : Auteur
J. Santiso
  • Fonction : Auteur
B . Armas
  • Fonction : Auteur
C. Combescure
Annie Mazel
  • Fonction : Auteur
Yolande Kihn
  • Fonction : Auteur
Jean Sévely
  • Fonction : Auteur

Résumé

Silicon carbide layers have been produced by Chemical Vapor Deposition at low pressures (LPCVD) on graphite substrates from tetramethylsilane and hydrogen. The effects of change in partial pressure of hydrogen on the kinetics, morphology and structure of the layers have been examined. A model of the layer growth is developed.

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Dates et versions

jpa-00249815 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

A. Figueras, R. Rodriguez-Clemente, S. Garelik, J. Santiso, B . Armas, et al.. INFLUENCE OF H2 PARTIAL PRESSURE ON THE MORPHOLOGY AND CRYSTALLIZATION OF SiC LAYERS OBTAINED BY LPCVD USING TETRAMETHYLSILANE. Journal de Physique IV Proceedings, 1991, 02 (C2), pp.C2-225-C2-232. ⟨10.1051/jp4:1991228⟩. ⟨jpa-00249815⟩

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