Nous avons étudié la réponse électrique des défauts de l'interface Si-SiO2 〈100〉 présents dans des transistors MOS submicroniques après exposition à une source de rayonnement gamma (Co60). La technique de pompage de charge à trois niveaux a permis de déterminer la distribution énergétique des paramètres des états d'interface (temps d'émission, sections efficaces de capture et densité d'états d'interface) dans la quasi-totalité de la bande interdite du silicium après différentes doses d'irradiation. Nous avons mis en évidence la possibilité de caractériser, par pompage de charge classique et à trois niveaux, les pièges d'oxyde proches de l'interface (états lents) induits par des rayonnements ionisants. Leur comportement en régime d'émission est ici examiné dans le cadre d'un mécanisme tunnel. Nous proposons une méthode originale, dérivée du pompage de charge à trois niveaux, pour déterminer la répartition spectrale de ces états lents.