Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1993

Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge

Jean-Luc Autran
Frédéric Seigneur
  • Fonction : Auteur
Jacques Delmas
  • Fonction : Auteur
Carole Plossu
  • Fonction : Auteur
Bernard Balland
  • Fonction : Auteur

Résumé

Nous avons effectué une étude comparative des différentes techniques de pompage de charge (classique, à trois niveaux, spectroscopique) et d'analyse électrique conventionnelles (DLTS, mesures C-V) sur des structures MOS et MOSFET submicroniques. La répartition énergétique de la densité d'états d'interface a été déterminée pour des substrats d'orientation 〈100 〉 de type N et P à différentes étapes d'un procédé de fabrication CMOS. Nous avons ainsi montré que les techniques de pompage de charge sont de puissants outils de caractérisation et de diagnostic permettant d'évaluer, avec une grande sensibilité, l'influence des traitements thermiques de passivation et des incidents de procédé sur la qualité interfaciale des dispositifs.

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jpa-00249057 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Jean-Luc Autran, Frédéric Seigneur, Jacques Delmas, Carole Plossu, Bernard Balland. Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge. Journal de Physique III, 1993, 3 (10), pp.1947-1961. ⟨10.1051/jp3:1993252⟩. ⟨jpa-00249057⟩

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