Dislocation slipping, a new technique to produce step-like surfaces, compatible with quantum confinement sizes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1993

Dislocation slipping, a new technique to produce step-like surfaces, compatible with quantum confinement sizes

F. Voillot
  • Fonction : Auteur
Michel Goiran
  • Fonction : Auteur
C. Guasch
J. Peyrade
  • Fonction : Auteur
L. Dinh
  • Fonction : Auteur
A. Rocher
  • Fonction : Auteur
Eléna Bedel-Pereira

Résumé

We propose a method to generate steps at the surface of GaAs single crystals. This method is based on plasticity properties of GaAs. In the simple slip condition, the {$54\underline{1}$} surfaces exhibit a set of very long parallel lines (3 mm) along $<\underline{5}6\underline{1}>$. T.E.M. observations of these surfaces by replica technique allow to observe very homogeneous regions, over 20 μm2 with step height h = 200 Å  and step width ℓ= 400 Å. Those geometrical dimensions are compatible with the quantum confinement and make the obtained surfaces alternate solutions to vicinal surfaces or high-index surfaces used to obtain quantum lines by direct growth.

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Dates et versions

jpa-00249042 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

Citer

F. Voillot, Michel Goiran, C. Guasch, J. Peyrade, L. Dinh, et al.. Dislocation slipping, a new technique to produce step-like surfaces, compatible with quantum confinement sizes. Journal de Physique III, 1993, 3 (9), pp.1803-1808. ⟨10.1051/jp3:1993239⟩. ⟨jpa-00249042⟩

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