Simulation des trajectoires d'électrons secondaires pour le test des circuits intégrés au microscope électronique à balayage
Résumé
La nécessité d'accéder au potentiel effectif de pistes enterrées de circuits intégrés lors du test par faisceau d'électrons nous a conduit à analyser les différents facteurs déterminant la mesure. Un de ceux-ci est le trajet suivi par l'électron secondaire de la surface irradiée au détecteur, en présence d'une polarisation des pistes. Ce papier présente une simulation des trajectoires des électrons secondaires en environnement de test (dose incidente faible, circuit passivé, analyseur dans la colonne). L'évolution des trajectoires en fonction du champ d'extraction et des niveaux de polarisation est analysée et reliée au courant effectivement détecté. Le logiciel permet aussi d'étudier la modification de temps de transit provoquée par un changement rapide du potentiel de la piste.
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