Influence d'une diffusion d'or sur l'activité recombinante des joints de grains dans le silicium
Résumé
Nous avons étudié au moyen de la technique de spectroscopie capacitive (DLTS) les niveaux d'énergie introduits par l'or dans le silicium multicristallin de type P obtenu selon le procédé Polix. Les diffusions sont réalisées à 900 °C pendant 6 h dans un tube ouvert, parcouru par un flux d'argon, après qu'une couche d'or ait été déposée sur une face des échantillons. Les résultats obtenus à partir des mesures effectuées avec des diodes Al-Si réalisées sur l'autre face et dans les grains, montrent que l'or a traversé toute l'épaisseur de l'échantillon (400 μm) et s'est placé en site substitutionnel caractérisé par le niveau donneur à Ev+ 0,35 eV. Les analyses effectuées avec les diodes recouvrant les joints de grains font apparaître un niveau donneur supplémentaire situé à 0,43 eV de la bande de valence. La diffusin de l'or selon le mécanisme de “kick-out” permet d'interpréter les résultats obtenus dans les grains. En ce qui concerne le joint de grains, la formation de complexes Au-défaut cristallin ou bien Au-impuretés, telle que le fer, serait à l'origine du niveau situé à Ev+ 0,43 eV .
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