Observation du début de la croissance du GaAs/InP par OMCVD
Résumé
A partir d'observations directes par microscopie électronique en transmission de la première étape de la croissance de GaAs sur des substrats (001) d'InP par OMCVD, nous montrons qu'une couverture totale du substrat a lieu pour des couches de 65 Å d'épaisseur, déposées à 450 °C. Lorsque l'épaisseur de la précouche augmente (de 65 à 550 Å) et après un recuit de 5 mn à 700 °C, la couche se relaxe de plus en plus et la densité des défauts plans diminue ; en revanche, la rugosité de la surface augmente parallèlement. Une précouche d'épaisseur de l'ordre de 150 Å semble être la mieux adaptée pour réaliser le compromis entre la couverture du substrat, une faible densité de défauts et une bonne morphologie de la surface.
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