Etudes sous champ magnétique de l'effet tunnel résonnant et non résonnant dans les structures à double barrière n-(AlGa)As/GaAs
Résumé
Nous avons étudié les propriétés électroniques d'une série de structures à double barrière, dont la largeur du puits varie de 5 à 6 nm. La bistabilité observée couramment dans les caractéristiques I(V) de ces structures, peut être éliminée par l'adjonction aux bornes du dispositif d'une résistance ou d'un condensateur appropriés. Ceci entrave sérieusement les récentes interprétations de cette bistabilité, en termes d'effet intrinsèque de charges d'espaces. Ces caractéristiques stabilisées nous permettent d'étudier en détail l'effet d'un champ magnétique B//J sur le courant vallée de ces dispositifs, où l'on observe des oscillations dues à l'effet tunnel assisté par l'émission de phonons LO et par les processus de diffusion élastiques. L'effet d'un champ magnétique B 〉 J sur les structures à large puits (60 nm) permet d'observer une transition entre l'effet tunnel sur les états hybrides magnéto-électriques et les états cycloïdaux d'interface quantifiés magnétiquement.
Mots clés
aluminium compounds
gallium arsenide
III V semiconductors
magnetoresistance
semiconductor junctions
tunnelling
semiconductors
nonresonant tunnelling
double barrier structures
bistability
resonant tunnelling
magnetoquantum oscillations
LO phonon emission
elastic scattering
negative differential conductivity
AlGaAs GaAs
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