Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1988

Influence of hydrogen on minority carrier recombination at dislocations and sub-boundaries in GaAs

A. Djemel
  • Fonction : Auteur
J. Castaing
  • Fonction : Auteur
Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur

Résumé

We have investigated by cathodoluminescence the influence of atomic hydrogen on the minority carrier recombination at dislocations and sub-boundaries in GaAs. These extended defects have been introduced by plastic deformation at high temperature. The recombining character of these defects is not qualitatively changed by hydrogen.

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A. Djemel, J. Castaing, Jacques Chevallier. Influence of hydrogen on minority carrier recombination at dislocations and sub-boundaries in GaAs. Revue de Physique Appliquée, 1988, 23 (7), pp.1337-1339. ⟨10.1051/rphysap:019880023070133700⟩. ⟨jpa-00245950⟩

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