Transport dans la couche d'inversion d'un transistor MOS. Utilité du formalisme de Kubo-Greenwood
Résumé
Une étude du transport électronique dans la couche d'inversion d'un transistor MOS est présentée. L'utilisation du formalisme de Kubo-Greenwood rend possible l'explication du comportement global des coefficients de transport (conductivité, mobilité, ...) du régime d'inversion faible au régime d'inversion forte sur une gamme étendue de température. En particulier, il est montré que des phénomènes physiques découlant de la miniaturisation et/ou d'un fonctionnement à basse température, tels que la quantification de la couche d'inversion ou la localisation des porteurs, sont de première importance en ce qui concerne l'évaluation des coefficients de transport dans la couche d'inversion de T.MOS. La prise en compte de ces phénomènes lors de la modélisation du fonctionnement de T.MOS, est donc fortement souhaitable, même pour des températures proches de l'ambiante.
Mots clés
carrier mobility
electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators
inversion layers
metal insulator semiconductor devices
inversion layer
MOS transistor
Kubo Greenwood formalism
electronic transport
global behaviour
transport coefficients
conductivity
mobility
weak inversion regime
strong inversion
degenerate
miniaturization
low temperature working
carrier localization
MOST inversion layers
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