Transport dans la couche d'inversion d'un transistor MOS. Utilité du formalisme de Kubo-Greenwood - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1986

Transport dans la couche d'inversion d'un transistor MOS. Utilité du formalisme de Kubo-Greenwood

G. Ghibaudo

Résumé

Une étude du transport électronique dans la couche d'inversion d'un transistor MOS est présentée. L'utilisation du formalisme de Kubo-Greenwood rend possible l'explication du comportement global des coefficients de transport (conductivité, mobilité, ...) du régime d'inversion faible au régime d'inversion forte sur une gamme étendue de température. En particulier, il est montré que des phénomènes physiques découlant de la miniaturisation et/ou d'un fonctionnement à basse température, tels que la quantification de la couche d'inversion ou la localisation des porteurs, sont de première importance en ce qui concerne l'évaluation des coefficients de transport dans la couche d'inversion de T.MOS. La prise en compte de ces phénomènes lors de la modélisation du fonctionnement de T.MOS, est donc fortement souhaitable, même pour des températures proches de l'ambiante.
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jpa-00245417 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

G. Ghibaudo. Transport dans la couche d'inversion d'un transistor MOS. Utilité du formalisme de Kubo-Greenwood. Revue de Physique Appliquée, 1986, 21 (2), pp.121-129. ⟨10.1051/rphysap:01986002102012100⟩. ⟨jpa-00245417⟩

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