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Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1979

Approche théorique de la cinétique de croissance des dépôts épitaxiés d'arséniure de gallium par CVD-OM et confrontation avec les résultats expérimentaux

G. Gave
  • Fonction : Auteur
M. Le Métayer
  • Fonction : Auteur
J.E. Bourée

Résumé

Le présent exposé a pour objet de quantifier au moyen d'un modèle de calcul simplifié la cinétique de croissance des couches épitaxiées d'arséniure de gallium obtenues par pyrolyse du mélange gazeux : Ga(CH3) 3-AsH3-H2 Les paramètres étudiés sont : — le débit d'hydrogène, d'arsine et de triméthylgallium — la pression dans le réacteur — la température du substrat — la géométrie du réacteur. Les résultats théoriques obtenus sont en bon accord avec les résultats expérimentaux.
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jpa-00244675 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

G. Gave, M. Le Métayer, J.E. Bourée. Approche théorique de la cinétique de croissance des dépôts épitaxiés d'arséniure de gallium par CVD-OM et confrontation avec les résultats expérimentaux. Revue de Physique Appliquée, 1979, 14 (10), pp.875-886. ⟨10.1051/rphysap:019790014010087500⟩. ⟨jpa-00244675⟩

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