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Article Dans Une Revue Journal de Physique Colloques Année : 1981

MULTIPHASES DESCRIPTION OF a-Si : H

A. Deneuville
  • Fonction : Auteur
J. Bruyère
H. Hamdi
  • Fonction : Auteur

Résumé

Photoluminescence, thermally stimulated currents (TSC), optical absorption and electrical conductivity are reported versus deposition temperature and deposition rate of undoped a-Si : H. These results are coherent with a tentative model according to which the radiative recombination and thermal emission take place in a nearly constant and weakly disordered grain like zone, while optical absorption occurs mainly in a widely varying and largely disordered grain boundary like zone ; in this picture, the electrical conductivity involves both zones.

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Dates et versions

jpa-00220784 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

A. Deneuville, J. Bruyère, H. Hamdi. MULTIPHASES DESCRIPTION OF a-Si : H. Journal de Physique Colloques, 1981, 42 (C4), pp.C4-733-C4-736. ⟨10.1051/jphyscol:19814160⟩. ⟨jpa-00220784⟩

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