Piégeage des interstitiels par des impuretés divalentes dans KBr : Sr
Résumé
Des études sur les cinétiques de croissance des bandes Hayes Nichols (H N) et D3 dans KBr dopé strontium irradié aux électrons à 77 K montrent que ces deux bandes satisfont une loi quadratique avant la saturation des centres HN. Ceci est en accord avec un modèle où les dipoles impureté-lacune piègent des centres H et où le centre D3 est un di-interstitiel formé par la capture d'un second interstitiel libre, par le centre HN. Les résultats montrent qu'un centre H piégé a une très forte section de capture pour un interstitiel halogène libre. La valeur à saturation des centres H N varie comme la racine carrée de la concentration en impuretés divalentes. Un modèle possible pour le complexe formé des interstitiels halogènes et du dipôle est suggéré.
Origine | Accord explicite pour ce dépôt |
---|