Piégeage des interstitiels par des impuretés divalentes dans KBr : Sr - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique Année : 1981

Piégeage des interstitiels par des impuretés divalentes dans KBr : Sr

G. Guillot
A. Nouailhat
  • Fonction : Auteur

Résumé

Des études sur les cinétiques de croissance des bandes Hayes Nichols (H N) et D3 dans KBr dopé strontium irradié aux électrons à 77 K montrent que ces deux bandes satisfont une loi quadratique avant la saturation des centres HN. Ceci est en accord avec un modèle où les dipoles impureté-lacune piègent des centres H et où le centre D3 est un di-interstitiel formé par la capture d'un second interstitiel libre, par le centre HN. Les résultats montrent qu'un centre H piégé a une très forte section de capture pour un interstitiel halogène libre. La valeur à saturation des centres H N varie comme la racine carrée de la concentration en impuretés divalentes. Un modèle possible pour le complexe formé des interstitiels halogènes et du dipôle est suggéré.
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Dates et versions

jpa-00209352 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

G. Guillot, A. Nouailhat. Piégeage des interstitiels par des impuretés divalentes dans KBr : Sr. Journal de Physique, 1981, 42 (11), pp.1577-1581. ⟨10.1051/jphys:0198100420110157700⟩. ⟨jpa-00209352⟩

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