Communication Dans Un Congrès Année : 2025

Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4

Résumé

Dans le cadre du projet FrenchDiam, cette étude a pour but de proposer une protection périphérique par plaque de champ (Field Plate, FP) appliquée à la diode Schottky diamant de type P. Le diélectrique de la FP comporte un empilement Al₂O₃/Si₃N₄, deux matériaux à forte permittivité sélectionnés pour augmenter la tenue en tension de la diode. Les performances de l’empilement Al₂O₃/Si₃N₄ ont d’abord été évaluées par mesures CV sur Silicium. Suite à la fabrication en salle blanche, des caractérisations électriques ont été réalisées afin d’étudier le comportement des diodes sous polarisation directe et inverse

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Dates et versions

hal-05506473 , version 1 (12-02-2026)

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Identifiants

  • HAL Id : hal-05506473 , version 1

Citer

Rachel Grosset Darracq, Karine Isoird, Cédric Masante, Josiane Tasselli, Daniel Rouly, et al.. Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4. SGE 2025 - Symposium de Génie Électrique, cnrs, ups, Jul 2025, Toulouse, France. ⟨hal-05506473⟩
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