Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4
Résumé
Dans le cadre du projet FrenchDiam, cette étude a pour but de proposer une protection périphérique par plaque de champ (Field Plate, FP) appliquée à la diode Schottky diamant de type P. Le diélectrique de la FP comporte un empilement Al₂O₃/Si₃N₄, deux matériaux à forte permittivité sélectionnés pour augmenter la tenue en tension de la diode. Les performances de l’empilement Al₂O₃/Si₃N₄ ont d’abord été évaluées par mesures CV sur Silicium. Suite à la fabrication en salle blanche, des caractérisations électriques ont été réalisées afin d’étudier le comportement des diodes sous polarisation directe et inverse
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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