Surveillance en temps réel et à haute précision de la tension de seuil de grille (VGSTH ) du MOSFET SiC sur bras d'onduleur MLI par l'insertion d'une commutation "spéciale" contrôlée par une architecture de gate-driver parallèle
Résumé
Deux nouvelles méthodes de surveillance en temps réel de l'état de santé de l'oxyde de grille du MOSFET SiC sont évaluées et comparées en MLI. Une première approche numérique complète permet d'extraire et de post-traiter en temps masqué de multiples indicateurs autour de la tension de plateau VGSP. Une seconde approche analogique permet un suivi local et spécifique de la tension de seuil VGSTH. Ces deux techniques sont obtenues par l'insertion d'une commutation d'amorçage spécialement ralentie et synchronisée au sein d'une trame MLI grâce à un driver à structure parallèle et à résistances de grille commutées. Un excellent rapport signal à bruit est ainsi obtenu permettant une précision et une répétabilité des mesures inférieures à 0,3% au sein d'un bras MLI 600V/20kHz.
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