Concept de grille quasi-flottante pour la protection d'un MOSFET SiC basée sur une architecture de commande à voies parallèles
Résumé
La protection efficace sur courts-circuits du MOSFET SiC tout comme la surveillance de l'intégrité de son oxyde reste un enjeu de premier plan. Dans cet article, une architecture originale de gate-driver à résistances de grille commutées permettant de concilier commutations rapides et détection fiable et rapide multi-défauts est présentée. Cette méthode met à profit les variations de charge de grille apparaissant en régimes de défaut, en isolant partiellement la grille entre l'amorçage et le blocage afin de la rendre plus sensible aux signatures électriques de défauts. L'architecture de commande est validée sur banc de test avec des MOSFETs SiC 1200V-36A.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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