Brevet Année : 2025

Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime

Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence

HAL

Est une version de hal-04249470 Brevet Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray. Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime. France, Patent n° : FR3152913 (A1) 2025-03-14. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: FR20230009552 20230911. ⟨hal-04249470⟩

Famille de brevet N° de priorité FR20230009552 20230911
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-05156181 , version 1 (10-07-2025)

Identifiants

  • HAL Id : hal-05156181 , version 1

Citer

Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray. Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime. Unknown Region, Patent n° : WO2025056260 (A1) 2025-03-20. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: WO2024EP72790 20240813. ⟨hal-05156181⟩
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