Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime
Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence
Domaines
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Est une version de hal-04249470 Brevet Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray. Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime. France, Patent n° : FR3152913 (A1) 2025-03-14. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: FR20230009552 20230911. ⟨hal-04249470⟩
Famille de brevet N° de priorité FR20230009552 20230911