Communication Dans Un Congrès Année : 2025

Bottom gated in-plane selective area grown InSb nanowires on GaAs(111)B

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-05019799 , version 1 (03-04-2025)

Identifiants

  • HAL Id : hal-05019799 , version 1

Citer

Clément Barbot, Christophe Coinon, Maxime Berthe, Yves Deblock, Qianqian Lan, et al.. Bottom gated in-plane selective area grown InSb nanowires on GaAs(111)B. EuroMBE 2025 Conference, CRHEA, Mar 2025, Auron, France. ⟨hal-05019799⟩
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